SI2356DS-T1-GE3

Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

SI2356DS-T1-GE3 datasheet

• Маркировка
  SI2356DS-T1-GE3
• Производитель
  Siliconix
• Описание
  Siliconix SI2356DS-T1-GE3 Product Category: N-Channel MOSFETs RoHS: yes Transistor Polarity: N-Channel Drain-Source Breakdown Voltage: 40 V Gate-Source Breakdown Voltage: +/- 12 V Continuous Drain Current: 4.3 A Rds On: 56 mOhms Configuration: Single Maximum Operating Temperature: + 150 C Mounting Style: SMD/SMT Package / Case: TO-236 Brand: Vishay / Siliconix Fall Time: 53 ns Forward Transconductance - Min: 13 S Gate Charge Qg: 8.1 nC Minimum Operating Temperature: - 55 C Power Dissipation: 1.7 W Rise Time: 52 ns Factory Pack Quantity: 3000 Tradename: TrenchFETr Typical Turn-Off Delay Time: 18 ns
• Количество страниц
  10 шт.
• Форматы файла
  HTML, PDF

  (Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)

Скачать datasheet SI2356DS-T1-GE3.pdf
Файл формата Pdf 197,29 KB